上海高壓硅堆廠家

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10~500kV

100mA~2000mA

高壓硅(gui)(gui)(gui)堆又叫硅(gui)(gui)(gui)柱。它是(shi)一種硅(gui)(gui)(gui)高頻(pin)高壓整(zheng)流二極管。工作電(dian)壓在(zai)幾千伏至幾萬伏之(zhi)間(jian)。常用于黑白電(dian)視(shi)機或(huo)其(qi)他(ta)電(dian)子儀器(qi)中作高頻(pin)高壓整(zheng)流。它之(zhi)所以能(neng)有(you)如此高的(de)耐壓本領(ling)，是(shi)因為它的(de)內部是(shi)由若(ruo)干個硅(gui)(gui)(gui)高頻(pin)二極管的(de)管心串聯(lian)起來組合(he)而成的(de)。外面用高頻(pin)陶瓷進行(xing)封裝。

上海高壓硅堆廠家

技術參數

高(gao)壓硅(gui)(gui)堆具有(you)體積(ji)小(xiao)、重量輕(qing)、機(ji)械強(qiang)度高(gao)、使用簡便和(he)*等優點，普遍用于(yu)直流(liu)高(gao)壓設(she)備中作為(wei)(wei)基本的(de)整(zheng)流(liu)元件。實際上(shang)一(yi)個(ge)硅(gui)(gui)堆常(chang)由(you)數(shu)個(ge)至數(shu)十個(ge)硅(gui)(gui)整(zheng)流(liu)二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)串聯封(feng)裝而(er)成。具有(you)單向(xiang)(xiang)導電(dian)性(xing)的(de)硅(gui)(gui)二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)的(de)正(zheng)反向(xiang)(xiang)伏(fu)(fu)安特性(xing)下圖所示，由(you)下圖可知當(dang)二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)上(shang)外(wai)加正(zheng)向(xiang)(xiang)電(dian)壓Uf很(hen)小(xiao)時(shi)正(zheng)向(xiang)(xiang)電(dian)流(liu)很(hen)小(xiao)，但(dan)當(dang)Uf大(da)于(yu)某一(yi)值UF后正(zheng)向(xiang)(xiang)電(dian)流(liu)If，則(ze)隨(sui)Uf的(de)增大(da)而(er)迅速增大(da)，通(tong)常(chang)稱UF為(wei)(wei)“死(si)角(jiao)電(dian)壓”，對于(yu)高(gao)壓硅(gui)(gui)整(zheng)流(liu)二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)UF約(yue)為(wei)(wei)0.4 V~0.6 V。又當(dang)外(wai)加反壓Ur于(yu)二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)時(shi)則(ze)二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)呈現很(hen)大(da)阻抗，其(qi)反向(xiang)(xiang)電(dian)流(liu)Ir很(hen)小(xiao)(約(yue)幾微安)，并隨(sui)反壓增加而(er)稍有(you)增長(chang)，但(dan)當(dang)反壓超過(guo)某一(yi)值UR后Ir則(ze)急劇增，則(ze)UR稱為(wei)(wei)擊穿電(dian)壓，高(gao)壓硅(gui)(gui)整(zheng)流(liu)二(er)(er)極(ji)管(guan)(guan)的(de)UR可達數(shu)千伏(fu)(fu)至上(shang)萬(wan)伏(fu)(fu)。

硅二極管伏安特性

硅二極管(guan)和硅堆基本技術(shu)參(can)數如下：

1.額定整流(liu)(liu)(liu)(liu)電流(liu)(liu)(liu)(liu)If—指的(de)是通過二極管的(de)正向電流(liu)(liu)(liu)(liu)在一個周期(qi)內(nei)的(de)平均值。在選(xuan)擇整流(liu)(liu)(liu)(liu)元(yuan)件時(shi)顯然應使(shi)其If≥Id，即運行中通過二極管的(de)電流(liu)(liu)(liu)(liu)不應大于If。

2.正(zheng)向壓(ya)降Uf—當二極管通過的(de)正(zheng)向電流為額定值If時在管子兩端的(de)壓(ya)降。

3.額定反峰電(dian)壓(ya)(ya)值(zhi)Ur一即二極管(guan)截止(zhi)時在管(guan)子兩端(duan)允許(xu)出現的高反向工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)(ya)峰值(zhi)。它(ta)是電(dian)容器上電(dian)壓(ya)(ya)和(he)變壓(ya)(ya)器輸出電(dian)壓(ya)(ya)之差，它(ta)的波形基(ji)本上相當于一個帶(dai)直流分量的正(zheng)弦波。在選擇整流元(yuan)件時應使(shi)Ur滿足下式：

式中(zhong)，UT—工頻(pin)試驗(yan)變(bian)壓(ya)器T的輸(shu)出電壓(ya)(有效值(zhi)) ；

S—紋波因數；

Ud—輸出直流電壓算數平均值。

否則管子可能出現反向擊穿。一般Ur選為它的擊穿電壓的1/2～2/3，即Ur=(1/2～2/3)UR。

4.反向平均(jun)電流(liu)Ir—在高反向工作(zuo)電壓(ya)作(zuo)用下流(liu)過管子的反向電流(liu)平均(jun)值。 

高壓硅堆技術參數

高壓硅堆使用注意事項

使用硅堆(dui)時還應掌握它的過載特性，一(yi)般硅堆(dui)的正(zheng)向損(sun)壞(huai)是由于二極(ji)管PN結的熱擊穿(chuan)造成的，根據大功率硅整流元件(jian)技術標準(zhun)規定，PN結的高允許工作溫度(du)為140℃

因此在(zai)正常(chang)工作(zuo)時(shi)結溫必須低于140℃，不然會引(yin)起硅(gui)堆(dui)特性(xing)變壞和加速(su)封裝(zhuang)硅(gui)堆(dui)的(de)(de)絕緣(yuan)介質(zhi)的(de)(de)老化(hua)，從而影(ying)響硅(gui)堆(dui)使用壽(shou)命。為了(le)在(zai)正常(chang)工作(zuo)狀(zhuang)態下(xia)保(bao)證PN結的(de)(de)溫度不超過允許(xu)溫度，必須注(zhu)意以下(xia)幾點：

1.所(suo)用(yong)(yong)硅(gui)堆(dui)的(de)(de)額(e)定(ding)(ding)正(zheng)向整流(liu)(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)峰值(zhi)，應(ying)不小于其(qi)在正(zheng)常實(shi)際工作狀態(tai)中的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)大(da)值(zhi)。特(te)別是(shi)對一(yi)些正(zheng)常工作狀態(tai)下負載側經常發生閃絡或擊(ji)穿的(de)(de)直(zhi)流(liu)(liu)(liu)高壓設備(bei)(例(li)如靜電(dian)(dian)(dian)除塵器中)的(de)(de)硅(gui)堆(dui)，If值(zhi)應(ying)適當選大(da)一(yi)些。此外(wai)所(suo)規定(ding)(ding)的(de)(de)額(e)定(ding)(ding)整流(liu)(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)值(zhi)If，一(yi)般是(shi)指在自然對流(liu)(liu)(liu)冷卻下的(de)(de)允(yun)許使(shi)用(yong)(yong)值(zhi)，如果采用(yong)(yong)油冷，則(ze)整流(liu)(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)大(da)約可提高一(yi)倍。

2.根據高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)硅(gui)(gui)堆的頻(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)特性可分工頻(pin)(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)硅(gui)(gui)堆(用2DL表示(shi))和(he)高(gao)(gao)頻(pin)(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)硅(gui)(gui)堆(用2DGL表示(shi))。工頻(pin)(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)硅(gui)(gui)堆所(suo)整(zheng)流(liu)(liu)的電(dian)流(liu)(liu)頻(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)應(ying)在3 kHz以下，高(gao)(gao)頻(pin)(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)硅(gui)(gui)堆所(suo)整(zheng)流(liu)(liu)的電(dian)流(liu)(liu)頻(pin)(pin)(pin)(pin)率(lv)可在3 kHz以上。對(dui)于高(gao)(gao)頻(pin)(pin)(pin)(pin)電(dian)壓(ya)(ya)(ya)的整(zheng)流(liu)(liu)應(ying)使用相(xiang)應(ying)的高(gao)(gao)頻(pin)(pin)(pin)(pin)高(gao)(gao)壓(ya)(ya)(ya)硅(gui)(gui)堆。

3.高(gao)(gao)壓(ya)硅堆所標稱的(de)額定整流(liu)(liu)(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)值(zhi)是指在(zai)(zai)使用環(huan)(huan)境(jing)溫(wen)度為(wei)室溫(wen)時的(de)平均(jun)整流(liu)(liu)(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)值(zhi)。如在(zai)(zai)較(jiao)高(gao)(gao)的(de)環(huan)(huan)境(jing)溫(wen)度下工作時，所允許的(de)整流(liu)(liu)(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)值(zhi)應相應地減小。下圖為(wei)環(huan)(huan)境(jing)溫(wen)度與被允許的(de)平均(jun)整流(liu)(liu)(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)百分比的(de)關系曲(qu)線。

硅堆溫度負載特性曲線

4.高壓硅堆的結溫是由(you)于(yu)PN結的功(gong)率(lv)損(sun)耗對結部加熱所致，而(er)結功(gong)率(lv)損(sun)耗還與整流電(dian)流的波形和施加的反(fan)向(xiang)電(dian)壓有關(guan)。例如，當(dang)波形為非正(zheng)弦波而(er)是矩(ju)形波時(shi)，硅堆的整流電(dian)流值(zhi)應減(jian)小。當(dang)反(fan)向(xiang)電(dian)壓較高時(shi)尚需考慮反(fan)向(xiang)功(gong)率(lv)損(sun)耗(一般(ban)情況下可忽略(lve))，務必使其不要超過元(yuan)件允許值(zhi)。

但(dan)是在事故狀態下(xia)，例(li)如試品發生擊穿或閃絡，則硅堆(dui)有可能流(liu)過(guo)很大(da)的(de)正向電(dian)(dian)流(liu)，此(ci)時(shi)(shi)(shi)結(jie)溫(wen)(wen)(wen)允許(xu)在一短時(shi)(shi)(shi)間(jian)內超過(guo)額(e)定(ding)高允許(xu)結(jie)溫(wen)(wen)(wen)，若時(shi)(shi)(shi)間(jian)很短則尚不(bu)致(zhi)造成損壞。但(dan)若在某(mou)一給(gei)定(ding)的(de)時(shi)(shi)(shi)間(jian)問隔內，電(dian)(dian)流(liu)值(zhi)超過(guo)了相應的(de)某(mou)一限(xian)度，則PN結(jie)可能因過(guo)流(liu)而使元件燒毀。另外(wai)，即(ji)使電(dian)(dian)流(liu)值(zhi)不(bu)超過(guo)這個限(xian)度，這種過(guo)電(dian)(dian)流(liu)的(de)沖擊次數在硅堆(dui)的(de)整個使用壽命期間(jian)也(ye)不(bu)能太多(duo)(大(da)約在幾百次)。表示硅堆(dui)在多(duo)長的(de)時(shi)(shi)(shi)間(jian)間(jian)隔內，允許(xu)流(liu)過(guo)多(duo)大(da)的(de)故障電(dian)(dian)流(liu)的(de)特(te)性，稱(cheng)為過(guo)載特(te)性(此(ci)時(shi)(shi)(shi)結(jie)溫(wen)(wen)(wen)不(bu)能超過(guo)160℃)，而該(gai)允許(xu)的(de)電(dian)(dian)流(liu)值(zhi)稱(cheng)為過(guo)載電(dian)(dian)流(liu)額(e)定(ding)值(zhi)。下(xia)圖分(fen)別(bie)為額(e)定(ding)整流(liu)電(dian)(dian)流(liu)為150 mA和0.5A硅堆(dui)的(de)過(guo)載特(te)性曲線。

150mA硅堆(a)和0.5 A硅堆(b)過載特性

為(wei)了(le)保(bao)護硅(gui)堆必須保(bao)證流(liu)(liu)(liu)(liu)過(guo)(guo)硅(gui)堆的(de)(de)(de)事故電(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(峰(feng)值)不超過(guo)(guo)允許的(de)(de)(de)過(guo)(guo)載電(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)(峰(feng)值)，一般只(zhi)需在(zai)高壓回路選用合適的(de)(de)(de)限流(liu)(liu)(liu)(liu)電(dian)阻(zu)R即可。但在(zai)一些額定(ding)電(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)較大、持續運行時(shi)間(jian)較長的(de)(de)(de)直(zhi)流(liu)(liu)(liu)(liu)高壓設(she)備中，為(wei)了(le)避(bi)免電(dian)阻(zu)會增加設(she)備在(zai)正常(chang)工作(zuo)(zuo)狀(zhuang)態下(xia)的(de)(de)(de)功率損耗(hao)，常(chang)不采用R而選用晶閘管、過(guo)(guo)流(liu)(liu)(liu)(liu)繼電(dian)器(qi)和快速熔(rong)斷器(qi)等元件作(zuo)(zuo)為(wei)過(guo)(guo)電(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)保(bao)護。 

高壓硅(gui)堆的(de)修復使(shi)用

黑白電(dian)視(shi)機遇(yu)潮(chao)濕天氣在(zai)高(gao)(gao)壓包腔內容(rong)易產生高(gao)(gao)壓打火的現象。火花(hua)將高(gao)(gao)壓硅堆圓柱(zhu)體表(biao)面擊刻成條條溝槽(cao)，使硅堆在(zai)高(gao)(gao)電(dian)壓下，外表(biao)面拉(la)弧導通，顯像管(guan)第二陽極(ji)無高(gao)(gao)壓，造成電(dian)視(shi)無光柵。

這(zhe)時(shi)，可把高壓硅(gui)堆圓柱表(biao)面的(de)碳(tan)化物用刀(dao)刮除，再用砂紙打(da)磨干凈，只要(yao)用表(biao)測量硅(gui)堆的(de)性能仍屬好的(de)，即可在它的(de)表(biao)面涂敷(fu)一層環氧樹脂，待固化后即可使用。

高壓包在(zai)清除腔(qiang)內(nei)碳化物(wu)后可以(yi)使用。